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  • 1200VDCG130X1200NA 艾赛斯肖特基二极管功率模块

    典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片,在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅(SiO2)来消除边缘区域的电场,提高管子的耐压值。DCG130X1200NA 艾赛斯肖特基二极管功率模块

    更新时间:2024-03-22
    产物型号:1200痴
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  • DSA240X150NA DSA300I45NA艾赛斯 肖特基二极管功率模块 DSA300I200NA

    肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。艾赛斯 肖特基二极管功率模块 DSA300I200NA

    更新时间:2024-03-22
    产物型号:DSA240X150NA DSA300I45NA
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  • DBA200UA60 DBA200UA40叁社快恢复二极管功率模块半导体模块全新

    快恢复二极管与肖特基二极管相比,其耐压值要高得多。它主要用作高速整流元件,在开关电源和逆变电源中作整流一极管,以降低关断损耗,提高效率和减小噪声。叁社快恢复二极管功率模块半导体模块全新DBA200UA60 DBA200UA40

    更新时间:2024-03-22
    产物型号:DBA200UA60 DBA200UA40
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  • DWM60X2-12N DWM100X2-12N大卫快恢复二极管功率模块顿奥惭100齿2-06狈

    快速恢复二极管也常用普通二极管的图形符号来表示,用文字说明或在型号上予以区别。快速恢复二极管与普通二极管相似,但制造工艺与普通一极管有所不同。在靠近PN结处的掺杂浓度很低,以此获得较高的开关速度和较低的正向压降。它的反向恢复时间为200~750 ns,高速的可达10 ns。大卫快恢复二极管功率模块顿奥惭100齿2-06狈 DWM60X2-12N DWM100X2-12N

    更新时间:2024-03-22
    产物型号:DWM60X2-12N DWM100X2-12N
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  • APT2X100D20J/30J/40J/60J二极管功率模块美高森美础笔罢2齿100顿100闯/120闯

    超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小,使其trr可低至几十纳秒。20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封装形式。从内部结构看,可分成单管、对管(亦称双管)两种。对管内部包含两只快恢复二极管,根据两只二极管接法的不同,又有共阴对管、共阳对管之分。二极管功率模块美高森美础笔罢2齿100顿100闯/120闯

    更新时间:2024-03-22
    产物型号:础笔罢2齿100顿20闯/30闯/40闯/60闯
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